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產(chǎn)品名稱:
蘇州AMAYA天谷 剛性和柔性的常壓CVD設(shè)備
產(chǎn)品型號(hào):
玻璃基板沉積設(shè)備
產(chǎn)品展商:
日本AMAYA天谷制作所
折扣價(jià)格:
0.00 元
關(guān)注指數(shù):78
產(chǎn)品文檔:
無相關(guān)文檔
AMAYA株式會(huì)社天谷制作所玻璃基板沉積設(shè)備
常壓CVD裝置，準(zhǔn)備了滿足顧客需求的產(chǎn)品陣容。同時(shí)，定做也對(duì)應(yīng)。
對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體制造用、太陽能電池制造用等各種用途。從少量生產(chǎn)到大量生產(chǎn)
形成SiO2、BPSG、BSG、PSG等各種膜種
采用SiC托盤防止重金屬污染，從低溫（200℃）到中溫（500℃）區(qū)域可以廣泛成膜
蘇州AMAYA天谷 剛性和柔性的常壓CVD設(shè)備
的詳細(xì)介紹
日本AMAYA株式會(huì)社天谷制作所
用于剛性和柔性設(shè)備（如FPD）的常壓CVD設(shè)備
玻璃基板沉積設(shè)備
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低溫（150~300°C）處理
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高質(zhì)量 SiO2 成膜低應(yīng)力
、等離子體損傷、小顆粒
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占地面積小，降低了安裝和維護(hù)成本
，無需真空或等離子處理低價(jià)
特征
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這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng)，與FPD等剛性和柔性器件兼容。
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配備兩個(gè)氣頭，有效成膜寬度為760mm，吸附式加熱階段為吸附式加熱階段，溫度可控性±2%以內(nèi)。
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可以在4°C下在5.250代玻璃基板上以100片/小時(shí)或更高的速度沉積2nm SiO25薄膜，并且可以保證薄膜厚度均勻性在10%以內(nèi)。
性能
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均勻的薄膜厚度
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±10%
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支持的玻璃基板尺寸
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4.5 代
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氣體種類
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SiH4，O 3， PH3， B2H6
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薄膜沉積溫度
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150~300°C
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主要規(guī)格
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設(shè)備尺寸
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1300毫米（寬） x 7350毫米（深） x 2000毫米（高）
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氣頭
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配備兩個(gè)有效寬度為 760 mm 的氣頭，用于沉積
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